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色吧中文网 中芯国外肯求半导体结构偏抓造成治安专利, 减少了第一金属层翘起的概率

发布日期:2024-12-22 06:22    点击次数:176

色吧中文网 中芯国外肯求半导体结构偏抓造成治安专利, 减少了第一金属层翘起的概率

金融界2024年12月21日音书色吧中文网,国度常识产权局信息傲气,中芯国外集成电路制造(北京)有限公司、中芯国外集成电路制造(上海)有限公司肯求一项名为“半导体结构偏抓造成治安”的专利,公开号CN119153436A,肯求日历为2023年6月。

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专利节录傲气,一种半导体结构偏抓造成治安,其中治安包括:提供第一晶圆和第二晶圆,第一晶圆包括相对的第一面和第二面;在第一面上造成断送层和环绕断送层的第一金属层;在断送层和第一金属层名义造成电互和解构;在造成电互和解构之后,将第一面朝向第二晶圆对第一晶圆与第二晶圆进行键合;在第一晶圆与第二晶圆相互键合之后,自第二面刻蚀第一晶圆,在第一晶圆内造成通孔,通孔底部暴涌现断送层名义,通孔在第一晶圆名义具有第一投影,第一金属层在第一晶圆名义具有第二投影,第一投影和第二投影至少部分重迭;去除通孔底部暴涌现的断送层,使部分第一金属层和部分电互和解构裸露;在通孔内造成导电接续层,减少了第一金属层翘起的概率。

本文源自:金融界





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