金融界2024年12月21日音信，国度学问产权局信息清楚立花里子ed2k，京东方华灿光电（浙江）有限公司苦求一项名为“晶体管终点制作法子”的专利，公开号CN119153331A，苦求日历为2024年7月。

专利摘记清楚，本公开提供了一种晶体管终点制作法子，属于半导体器件领域。所述法子包括：在衬底上制作沟谈层；在所述沟谈层上制作势垒层；在所述势垒层上制作应力调控层，所述应力调控层在滋前程程施加的应力大小和厚度大小与所述晶体管的阈值电压大小关系；制作源极与漏极，所述源极轮番运动所述应力调控层和所述势垒层与所述沟谈层构兵，所述漏极轮番运动所述应力调控层和所述势垒层与所述沟谈层构兵；制作栅极，所述栅极位于所述应力调控层，且位于所述源极与所述漏极之间。

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